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Mitsubishi Electric entwickelt X-Series New Dual HVIGBT-Modul

Mehr Flexibilität durch Standardgehäuse für Hochleistungs-Halbleitermodul der nächsten Generation

Mitsubishi Electric entwickelt ein Leistungshalbleitermodul der nächsten Generation. Unter der Bezeichnung X-Series New Dual HV IGBT-Modul ist es für Traktions- und Drehstromanwendungen in der Schwerindustrie vorgesehen. Das neue Modul erhöht die Leistungsdichte und Effizienz von Wechselrichtern und ermöglicht durch das Standardgehäuse ein flexibles Design im Aufbau des Wechselrichters.

Die LV100-Version des New Dual-Moduls mit einer Bemessungsspannung von 3,3 kV steht zum Bemustern zur Verfügung. Ab 2018 steht die HV100-Version mit Bemessungsspannungen von 1,7 kV, 3,3 kV, 4,5 kV und 6,5 kV bereit. Für die Zukunft plant das Unternehmen, die Produktfamilie um eine Version im Bereich unter 1,7 kV zu erweitern.

Hochleistungs-Module sind die wichtigsten Bauteile zur Regelung der Leistungsumwandlung in elektronischen Systemen. Es gibt sie im Leistungsbereich von einigen Kilowatt bis hin zu mehreren Megawatt. In der Vergangenheit waren Module mit Bemessungsspannungen von bis zu 6,5 kV und Bemessungsströmen von einigen Tausend Ampere im Handel erhältlich.

Produktmerkmale

Das New Dual HVIGBT-Modul deckt den Bedarf an effizienten Halbleiterbauteilen mit hoher Leistungsdichte für einen großen Leistungsbereich. Die hohe Energieeffizienz und Leistungsdichte wird in den Wechselrichtern durch den Einsatz von IGBTs der 7. Generation erreicht. Sie sind mit CSTBT-Chips und RFC-Dioden bestückt, die den Leistungsverlust im Wechselrichtersystem auf niedrigem Niveau halten. Die Leistung der Wechselrichter wird durch drei auf dem LV100-Gehäuse befindliche AC-Hauptanschlüsse erhöht, die die Stromdichte verteilen und ausgleichen. Eine verbesserte Gehäusetechnologie und geringe Parasitärinduktivität sorgen für maximale Leistung.

Das einheitliche Gehäuse der beiden LV100- und HV100-Module ermöglicht vielfältigere Wechselrichterkonfigurationen und -leistungen. Einfache Standard-2in1-Anschlüsse ermöglichen eine optimale Systemauslegung mit Bemessungsleistungen zwischen 1,7 kV/900 A und 6,5 kV/225 A, wodurch die Systemkonfiguration skalierbar und viel flexibler wird.

Durch die standardisierten Gehäuseabmessungen von 100 mm x 140 mm x 40 mm können Industrieelektronik-Hersteller das Design vereinfachen und mehrere Bezugsquellen für ihren Wechselrichter sicherstellen. Zudem ist das neue Standard-Gehäuse mit den Anschlüssen von Infineon Technologies AG kompatibel.


Weitere Informationen gibt:
Mitsubishi Electric Europe B.V.
Niederlassung Deutschland
Mitsubishi-Electric-Platz 1
40882 Ratingen


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